（文/万肇生 编辑/吕栋）

在刚刚过去的一个多星期里，从上海临港到内蒙古包头，从浙江宁波到广东广州，中国半导体产业迎来了一波开工建设高潮，多个重大项目相继启动、上马或取得关键进展。

这些项目覆盖晶圆制造、高端封测以及先进材料等多个关键环节。其中，有4个项目宣布开工，2个项目完成签约，1个项目公告拟投，还有1个上游材料项目完成了主体结构封顶，预计明年正式投产。

成熟制程扩产

根据公开信息统计，本轮投资中最具代表性的成熟制程扩产项目，是6月29日在上海临港开工的芯港集成晶圆制造项目。

该项目由上海东方芯港集成电路有限公司投资建设，初始注册资本达55亿美元，一期总建筑面积约62万平方米，聚焦55nm至28nm平面工艺集成电路的研发与制造。一期项目计划于2026年第三季度启动建设，2027年底前交付使用，主要承接模拟芯片、功率器件、控制芯片等产品的流片订单。

图自上海临港公众号

而在6月9日，陕西国资官微也发文称，西安的芯业时代8英寸芯片生产线项目二期正蓄势待发。该项目总体规划投资190亿元，定位工业级和车规级功率半导体领域，一期已实现投产，二期计划于2026年第三季度启动建设。

陕西电子芯业时代8英寸芯片生产线项目一期现状。图自中国财富网

此外，今年1月，粤芯半导体四期项目在广州黄埔区启动，总投资约252亿元，规划建设月产能4万片的12英寸数模混合特色工艺生产线，围绕“感、传、算、存、控、显”六大方向布局，面向AI、端侧AI、工业电子、汽车电子等需求。

粤芯半导体1-4期（近景为3、4期厂房）。航拍图自黄埔融媒

同在1月，据“今日海沧”消息称，士兰集华12英寸高端模拟集成电路项目也在厦门海沧区开工。项目总投资200亿元，一期投资100亿元，计划2027年四季度初步通线并投产，2030年全面达产，届时一期可年产12英寸模拟集成电路芯片24万片，二期再投资100亿元，两期全部建成后年产能提升至54万片。

图中上方厂房为士兰集华12英寸高端模拟集成电路项目。效果图自厦门广电

这些项目都聚焦芯片制造的与特色工艺扩产，目标市场以功率半导体、模拟芯片、汽车电子等工业级应用为主，可以补充国内成熟制程的产能储备，降低对境外代工厂的依赖。

先进封装补短板

与成熟制程扩产同步推进的，还有围绕先进封装和制造关键配套的纵向补短板。

6月26日，盛合晶微公告称，东盛合芯三维集成芯片制造一期项目将在上海临港建设，预计总投资约100亿元，建设内容为3DIC规模量产产能。公司称，项目将扩充超高密度互联三维多芯片集成封装产能，服务高算力、高带宽、低功耗需求。

图自临港新片区管委会

6月26日晚间，甬矽电子公告称，拟在中意宁波生态园投资建设“微电子高端集成电路IC封装测试三期项目”，计划总投资103亿元，产品线包括BUMP、2.5D、FC类、WB类等，项目建设期预计96个月，并将分阶段建设、梯次投产。不过，公司提醒，项目仍处于前期筹备阶段，未来存在推进进度和实际收益不及预期等风险。

甬矽电子发布公告称，要103亿元加码先进封装。投资相当于该公司2025年营收的2.3倍。

随着AI芯片走向高算力、高带宽和低功耗，先进制程之外，2.5D/3D封装、Chiplet、高密度互连和HBM集成的重要性上升,国内封测环节正在从传统封装向高端封装能力延伸。

上游核心材料补链

第三大类，主要面向上游“卡脖子”环节的核心材料领域。

6月9日，冲刺晶圆制造上游的关键耗材和工艺环节的安徽晶镁半导体高端光罩项目，也宣布了重要进展。据合肥高新发布消息，合肥建投投资建设的安徽晶镁光罩厂房及厂务项目主体结构圆满封顶，而光罩则是芯片制造中的关键图形转移工具。

晶镁半导体高端光罩项目。效果图自合肥蓝科

该项目总投资约120亿元，聚焦28nm及以上半导体光罩的研发、生产和销售等。一期投资65亿元，总建筑面积达4.6万平方米，项目规划建设高标准自动化产线，满产后月产能可达3200片，预计2027年正式投产，届时将成为国内重要的高端光罩生产基地。

6月25日，东韩半导体广州基地在广州白云区民营科技园动工。据“白云融媒”报道，项目整体预计总投资超百亿元，一期投资约23亿元，主要生产功率半导体模块关键材料AMB活性金属钎焊陶瓷基板，达产后年产值预计超过30亿元。

AMB陶瓷基板是新能源汽车、智能电网等产业急需的关键基础材料。而韩资背景的STI株式会社是该领域领头企业，也是三星电子、SK海力士的核心供应链企业，该项目落地后可以配合白云区已有芯原微电子华南研发中心，打通该区的“设计-材料-制造”产业链断点。

东韩半导体广州基地。效果图自白云融媒

7月1日，《包头日报》报道称，有研硅大尺寸半导体硅单晶项目当天在内蒙古包头稀土高新区开工奠基。该项目计划投资10亿元，占地约177亩，将建设约5万平方米的单晶厂房，配置140个单晶炉位，计划于2027年12月正式投产。达产后可形成年产集成电路硅片、集成电路刻蚀设备用单晶硅1000吨以上的产能。产品将广泛应用于集成电路硅片、刻蚀设备用硅零部件等关键领域。

除此之外，还有针对前沿材料研发的郑州的中科粉研第四代半导体材料基地项目，聚焦金刚石、氧化镓等超宽禁带材料。

据《河南日报》报道，6月26日，河南郑州高新区与中科粉研签约，该项目总投资15亿元，具备500台MPCVD生产2至4英寸单晶晶圆和50条LPPHT生产微米/纳米球形金刚石的能力，计划今年年底200台MPCVD投产，三年内年产值达到30亿元。

中科粉研第四代半导体材料生产基地，是国内首个第四代半导体材料全产业链项目。图自河南日报

超千亿元项目集中落地

如果仅按已披露的总投或单期投资额统计，除了没有披露的芯港集成晶圆制造项目外，剩余的粤芯四期252亿元、士兰集华制造基地200亿元、芯业时代190亿元、晶镁光罩120亿元、东盛合芯100亿元、有研硅10亿元、甬矽电子103亿元、东韩半导体一期23亿元、中科粉研15亿元，本轮集中落地的重大项目投资额已超过1000亿元。

今年是中国“十五五”的开局之年。我国的半导体产业的投资重点正在从单点突破，转向产业链关键环节的系统补强。

相比过去更强调先进制程追赶，这一轮项目落地从“材料、制造、封装”多个节点，同时补强我国的半导体产业链供应链韧性，增强关键材料和特色工艺芯片的自主供给能力，最终将支撑汽车电子、工业控制、AI算力、通信、新能源和高端装备等下游产业。

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